SMU品牌SMU廠家SMU價(jià)格認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表，國產(chǎn)自主研發(fā)，相比2400，B2901進(jìn)口源表，測(cè)量范圍更廣，電壓高300V，電流低至100pA；可進(jìn)行自我限制，避免因過充而造成的對(duì)測(cè)試器件的損害；詳情請(qǐng)聯(lián)系普賽斯儀表銷售專員為您解答一八一四零六六三四七六
源表特點(diǎn)：
多功能：可作源和負(fù)載，又能測(cè)；
高效率：滿足多種測(cè)試需求；
可編程控制：高精度可調(diào)，靈活控制；
IV掃描：快速、直觀顯示，一步操作。
應(yīng)用領(lǐng)域：
分立半導(dǎo)體器件特性測(cè)試，電阻、二極管、發(fā)光二極管、齊納二極管、PIN二極管、BJT三極管、MOSFET、SIC、GaN等器件；
能量與效率特性測(cè)試，LED/AMOLED、太陽能電池、電池、DC-DC轉(zhuǎn)換器等
傳感器特性測(cè)試，電阻率、霍爾效應(yīng)等
有機(jī)材料特性測(cè)試，電子墨水、印刷電子技術(shù)等
納米材料特性測(cè)試，石墨烯、納米線等
四、測(cè)試功能：
微電路 | ||
1 | 晶圓 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 芯片 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
器件 | ||
1 | 二極管 | 正向?qū)妷骸⒄螂娏鳌⒎聪驌舸╇妷骸⒎聪蚵╇娏?o:p /> |
2 | 三極管 | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
3 | MOSFET | L-IV測(cè)試，輸入曲線、輸出曲線 |
4 | IGBT | L-IV測(cè)試，輸出曲線、轉(zhuǎn)移曲線 |
5 | 晶閘管 | 正向電壓電流曲線、反向電壓電流曲線、觸發(fā)特性 |
電池 | ||
1 | 鋰電池 | IV測(cè)試，充放電掃描曲線 |
2 | 光伏電池 | IV測(cè)試，放電掃描曲線 |
材料 | ||
1 | 石墨烯 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
2 | 納米線 | IV測(cè)試、輸入曲線、輸出曲線 |
國產(chǎn)優(yōu)勢(shì)
1、自主研發(fā)，符合大環(huán)境下國內(nèi)技術(shù)自給的需求；
2、性價(jià)比高；
3、可及時(shí)與客戶溝通，為客戶提供高性價(jià)比系統(tǒng)解決方案。及時(shí)指導(dǎo)客戶編程，加速測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)。
