KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強(qiáng)大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對(duì)比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
供電 | DC magnetic confinement |
- 電壓 | 40-300V VDC |
- 離子源直徑 | ~ 5 cm |
- 陽(yáng)極結(jié)構(gòu) | 模塊化 |
電源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
- 離子束發(fā)散角度 | > 45° (hwhm) |
- 陽(yáng)極 | 標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved |
- 水冷 | 前板水冷 |
- 底座 | 移動(dòng)或快接法蘭 |
- 高度 | 4.0 |
- 直徑 | 5.7 |
- 加工材料 | 金屬 |
- 工藝氣體 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
- 安裝距離 | 16-45” |
- 自動(dòng)控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用領(lǐng)域
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清洗 Load lock preclean
• 預(yù)清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
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